檢索結果：共26筆資料 檢索策略： "Ping-Hui Yeh".eadvisor (精準) and cdept.raw="電子工程系"
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本論文研究積體化氮化鎵發光二極體與光偵測器模組的電路設計與特性量測。量測本實驗室積體化製程製作的兩種光偵測器(p-i-n結構以及n-p-i-n結構光電晶體)的特性包括暗電流、外部量子效率、在不同偏壓…
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本論文研製積體化氮化鎵發光二極體與監控發光強度的光偵測器，量測其發光二極體基本光電特性、p-i-n光偵測器基本光電特性、p-i-n光偵測器室溫下暗電流以及在與發光二極體不同距離下p-i-n光偵測器所…
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在發光二極體(Light emitting diode, LED)中，散熱一直是影響發光效率的問題中必須解決的問題，而氮化鎵材料必須生長在藍寶石基板上使得成本降低。為了解決藍寶石基板散熱不佳以及改善…
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本論文使用新型氮化鎵鋁材料系統蝕刻停止層(Etch-stop layer)結構，成功開發兩階段乾蝕刻製程來控制深蝕刻(>1μm)，對於單縱模操作的氮化鎵垂直共振腔面射型雷射(Vertical C…
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光學同調斷層掃描(Optical coherence tomography, OCT)近年來逐漸成為眼科診察的一項重要儀器，此系統光源需要寬頻光源來達到最佳的縱向解析度，因此利用Cr4+:Forst…
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近年來，許多人嘗試將奈米或微米球作為表面織構散射體以增加薄膜太陽能電池的轉換效率，然而散射體的尺寸及折射率等參數對散射效果的影響還未被充分瞭解。在本研究中，我們使用光線追跡 (Ray Tracing…
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由於氮化鎵藍紫光垂直共振腔面射型雷射之晶圓片製作不易，容易造成低增益及高損耗的現象，因此本實驗採用不同於常見的氧化物侷限結構，利用矽擴散反轉p-GaN為n-GaN製作出擴散型侷限結構，藉此定義出電流…
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本研究旨在探討乾式以及濕式蝕刻對於VCSEL共振腔端面的影響。透過兩種商用矽基板磊晶生長的氮化鎵LED晶圓，我們成功研製出了改善共振腔端面粗糙度的方法，使用KOH和UVO製程，成功將共振腔端面的表面…
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由於希望在未來可以將光電元件與電子元件積體化，而製作電子元件時大部分的基板都是矽，最近氮化鎵晶圓廠商開始商品化氮化鎵磊晶在矽基板(GaN-on-Si)。而在過去，本實驗室是以氮化鎵磊晶在藍寶石…
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本論文利用三族氮化物中，具有紫外光至藍光吸收波段之氮化鎵材料研製光偵測器，可應用為紫外光或藍光感測器，並以GaN/InGaN多重量子井主動層結構製作PIN(p-intrinsic-n-type)光偵…